在使用上转换光发光激发的AlGaN/GaN高电子流动性晶体管中观察二维电子气体
Optics express
|November 22, 2024
概括
研究了高电子移动性晶体管 (HEMT) 中化/化 (AlGaN/GaN) 的上转换光发光激发. 3.335-eV峰值与二维电子气体有关,通过两步,两光子吸收过程来解释.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 基于AlGaN/GaN异构的高电子移动性晶体管 (HEMT) 对于高频和高功率应用至关重要.
- 了解这些设备的光学特性对于性能优化和新型设备设计至关重要.
研究的目的:
- 为了研究在 (Si) 基板上培养的AlGaN/GaN HEMT的上转换光发光激发 (UPLE) 光谱.
- 为了确定观察到的激发峰值的起源,并阐明底层的物理机制.
主要方法:
- UPLE光谱的测量和分析.
- 温度依赖的UPLE测量以研究激发机制.
- 对AlGaN/GaN异构的光谱研究.
主要成果:
- 在UPLE光谱中观察到3.335 eV的激发峰值.
- UPLE光谱的温度依赖提供了关于激发峰值起源的见解.
- 3.335-eV峰值归因于AlGaN/GaN异构中的二维电子气体 (2DEGs).
结论:
- 在AlGaN/GaN HEMT中,3.335-eV激发峰值与2DEGs有关.
- 作为上转换发光的机制,提出了一种两步,两光子吸收过程,涉及真实中间量子井状态.


