相关实验视频

Updated: May 5, 2026

Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

Published on: July 17, 2015

基于基板的AlGaN通道高电子流动性晶体管的高温表征

Yinhe Wu¹, Xingchi Ma¹, Longyang Yu²

¹Guangzhou Wide Bandgap Semiconductor Innovation Center, Guangzhou Institute of Technology, Xidian University, Guangzhou 510555, China.

|November 27, 2024

概括

高化 (AlGaN) 高电子流动性晶体管 (HEMT) 在上显示出优异的高温性能. 尽管电阻增加小,门电压稳定,但陷状态会在高温下影响设备的可靠性.

科学领域:

材料科学材料科学材料科学
半导体物理半导体物理
电子工程电子工程

背景情况:

高电子移动性晶体管 (HEMT) 对于高频和高功率应用至关重要.
基于甲化 (AlGaN) 的HEMT由于其宽带隙特性,对高温作业充满希望.
在高温下AlGaN HEMT的性能稳定性仍然是一个关键的研究领域.

研究的目的:

研究在晶片上制造的AlGaN HEMT的高温性能和稳定性.
分析温度对电阻,门电压和泄漏电流的影响.
识别和描述在高温下导致性能降低的陷状态.

主要方法:

在基板上制造AlGaN HEMT.
在不同温度 (25°C~200°C) 下对设备输出和传输特性进行表征.
对电阻 (R_ON),值电压 (ΔV_TH) 和离位泄漏电流 (I_D,离位) 的分析.
深层瞬态光谱 (DLTS) 或类似的技术用于识别和量化陷状态.

主要成果:

AlGaN HEMT表现出优异的高温性能,在电阻上略有增加 (比率为1.55从25°C到150°C),归因于减少了声子散射.
设备的稳定性被证明,值电压变化仅为0.1V,并可控增加离位泄漏电流至200°C.
在高温 (0.460.48 eV和0.570.61 eV) 确定了两个陷状态,密度在10~12~10~13厘米~2 eV~1的范围内,导致轻微的性能退化.

结论:

上的AlGaN HEMT显示出强大的高温操作能力和稳定性.
已识别的陷状态是高温下轻微性能退化的主要原因.
这项研究为AlGaN HEMT在高温应用中的适用性提供了证据,推进了超宽间隙半导体技术.

关键词:

高电子流动性晶体管的AlGaN通道航空公司的运营商流动性.高温的高温的高温的高温陷状态陷状态陷状态

更多相关视频

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

Published on: November 24, 2016

Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

Published on: October 23, 2018

相关概念视频

Characteristics of MOSFET

Characteristics of MOSFET

Metal-oxide-semiconductor field-effect Transistors, or MOSFETs, play a critical role in electronic circuits. They are primarily utilized for amplifying and switching signals.
Various vital parameters influence their functionality, which is crucial for theory and electronics applications. First, channel dimensions, precisely length, and width, are pivotal. The size of these channels affects the transistor's ability to carry current and switching speeds; shorter channels typically enable...