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Krishnanshu Basak1, Mainak Ghosh1, N Bedamani Singh2

  • 1Department of Physics, University of Calcutta, 92 Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata-700009, India. djphy@caluniv.ac.in.

概括

在双烯 (BPN) 和石烯 (GPN) 单层中引入缺陷可以显著提高它们的量子电容 (CQ). 空位引起的缺陷改善了电荷定位,导致更高的CQ值,使BPN和GPN成为超级电容电极的有希望的.

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