来自翻转和图案垂直对齐的碳纳米管阵列的场辐射
S C Olsen1, B Vandyke2, R R Vanfleet1
1Department of Physics and Astronomy, Brigham Young University, Provo, UT 84602, United States of America.
Nanotechnology
|November 28, 2024
概括
垂直对齐的碳纳米管 (VACNTs) 对场辐射有希望,但粘附问题仍然存在. 碳糊粘合剂通过迁移到VACNT结构中来提高粘合力,与银环氧不同.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 碳纳米管 (CNTs) 对于现场排放应用具有出色的性能.
- 高密度和基板粘附性差是基于CNT的设备的重大限制.
- 垂直对齐的碳纳米管 (VACNT) 阵列是增强场辐射的有希望的结构.
研究的目的:
- 为了研究图案VACNT阵列的场辐射特性.
- 为了评估不同结合剂对基板粘附和场辐射性能的影响.
- 了解VACNT结构中的结合剂的粘附机制.
主要方法:
- 在铜基板上制造有图案的VACNT阵列.
- 碳糊和银环氧的应用作为结合剂.
- 对VACNT阵列进行现场排放测试.
- 使用能量分散式X射线光谱学分析基板粘附和结合物迁移.
主要成果:
- 现场辐射主要由个体主导,较高的CNT超过了散装阵列高度.
- 与银环氧相比,碳糊表现出优越的基板粘附性.
- 能量分散式X射线光谱学揭示了碳糊的迁移到VACNT散装体积中.
- 银环氧没有显著迁移到VACNT结构中.
结论:
- 结合物的迁移到VACNT体积中对于增强基质粘附至关重要.
- 碳糊透到VACNT结构的能力解释了其增强的粘附性.
- 了解粘合剂-基板相互作用是优化VACNT场辐射装置的关键.
