孔选择性SiN和AlO道纳米层用于改进的多消极接触
Shona McNab1,2, Audrey Morisset3, Sofia Libraro3
1Department of Materials, University of Oxford, Oxford OX1 3PH, U.K.
ACS applied energy materials
|November 29, 2024
概括
研究人员开发了用于太阳能电池的新型孔选择接触器,使用增强等离子体的化学蒸气沉积化 (SiN) 和原子层沉积的氧化 (AlO). 这一进步显著提高了太阳能电池的效率和被动化,达到698mV的暗示开放电路电压.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 太阳能光伏发电是如何实现的
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 基于多的太阳能电池需要高效的孔选择性无源接触来提高性能.
- 当前的设备结构需要一个补充的孔选择性接触,以匹配现有的电子选择性道氧化物被动接触.
- 开发先进的纳米层对于下一代太阳能模块至关重要.
研究的目的:
- 为了研究与等离子增强的化学蒸气沉积化 (SiN) 和原子层沉积氧化 (AlO) 作为多道接触的替代纳米层.
- 使用这些新型被动化层制造和表征p + poly-Si接触.
- 优化被动化策略,以提高太阳能电池性能.
主要方法:
- 使用SiN和AlO纳米层制造p+聚Si接触器.
- 电阻测量以描述接触性能.
- 通过被动化测试来评估暗示的开通电路电压 (iVoc) 和暗和电流密度 (J0).
主要成果:
- 使用SiN和AlO纳米层实现了p+聚Si接触,电阻低于100mΩ·cm2.
- 最初的被动化测试显示了潜力,通过详细的纳米层理解确定了显著的改进.
- 使用PECVD SiN中间层,达到698mV的暗示开放电路电压 (iVoc) 和34fA/cm2的暗和电流密度 (J0).
结论:
- PECVD SiN和AlO是多太阳能电池中孔选择性接触的有希望的替代纳米层.
- 实现的性能指标是以化物为基础的纳米层道接触器最好的报告之一.
- 进一步研究以化物为基础的道接触对推进太阳能电池技术具有重大潜力.
