来自H的β射线的检测与背面照明的sCMOS成像仪
Makoto Sasano1, Masateru Hayashi1, Nobukazu Teranishi2
1Advanced R&D Center, Mitsubishi Electric Corp. 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki City, Hyogo, 661-8661, Japan.
概括
从三 (放射性同位素) 中检测低能β射线是具有挑战性的. 使用反向照明的sCMOS成像仪的新方法成功地在现场测量了表面污染,为液体闪器提供了更简单的替代方案.
科学领域:
- 核工程 核工程是指核工程.
- 辐射检测检测器可以检测到辐射.
- 图像技术技术的成像技术
背景情况:
- 三存在于核电站中,但其低能β射线带来检测挑战.
- 目前的方法,如液体闪器,对于现场测量是复杂的.
- 需要一种更容易使用的方法来测量表面污染.
研究的目的:
- 评估使用GSENSE2020BSI背光 sCMOS成像仪在现场检测三表面污染的可行性.
- 为了验证成像仪在检测发出的低能β射线方面的能力.
主要方法:
- 使用一个区域辐射源来测试sCMOS成像仪.
- 分析图像以寻找由β射线相互作用引起的亮点,并注意到它们的多像素分布 (平均在3x3区域内4.6像素).
- 从使用3x3分类的10,000张图像中获得的能量光谱,与Geant4辐射模拟进行比较.
主要成果:
- 背面照明的sCMOS成像仪成功检测到来自三的β射线,其特点是多像素扩散.
- 获得了贝塔射线辐射的连续能量频谱特征.
- 模拟显示,传感器可以在100秒内测量10 Bq/cm2,在480秒内测量4 Bq/cm2.
结论:
- 背面照明的sCMOS成像仪是检测表面污染的可行工具.
- 这种成像方法提供了一个有希望的,可能更简单的,现场替代传统的液体闪技术.
- 传感器表现出对量化低水平污染的敏感性.
