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Arkadev Roy1, Midya Parto1, Rajveer Nehra1
1Department of Electrical Engineering, California Institute of Technology, Pasadena 91125, CA, USA.
这项研究证明了响应器阵列的拓边界模式中的参数振荡,甚至在更高阶的拓绝缘器中. 在这些拓边缘模式中的量子挤压动力学显示出对混乱的强度.
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