在n型4H-SiC层中扩大线程位移的检测,通过时间分辨率的光发光映射映射实现
Zhaoxia Yang1,2, Fengke Sun1,2, Jing Leng1
1State Key Laboratory of Molecular Reaction Dynamics, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Dalian 116023, China.
The journal of physical chemistry letters
|December 9, 2024
概括
在碳化 (SiC) 中检测线程位移 (TD) 对动力设备至关重要. 一种新的时间分辨率光发光 (PL) 映射技术提高了在SiC表轴层中TD缺陷成像的精度.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 碳化 (SiC) 中的线程位移 (TD) 对设备性能产生负面影响,阻碍了SiC电源设备的商业化.
- 精确检查TD缺陷对于制造高质量的SiC晶片至关重要.
研究的目的:
- 开发和演示一种新的时间分辨率光发光 (PL) 映射技术,用于精确检测SiC表轴层中的TD.
- 为了提高TD缺陷的成像精度,用于工业应用.
主要方法:
- 使用时间分辨率光发光 (PL) 映射.
- 在生命衰变曲线沿着脉冲激发后的各种延迟时间提取了PL图像.
- 在4H-SiC表层中分析了TD缺陷成像.
主要成果:
- 观察到,TD PL火点大小在较晚的延迟时间相比,与整个延迟时间相比,增加了2倍.
- 这种扩大显著提高了TD缺陷成像的精度.
- 该技术有效地可视化了4H-SiC表轴层中的TD缺陷.
结论:
- 开发的时间分辨率PL映射技术为TD缺陷成像提供了更高的精度.
- 这种方法显示出在SiC表轴层中TD缺陷的工业评估的巨大潜力.
- 增强的TD缺陷检测对于推进SiC电源设备技术至关重要.
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