,Rb3Bi2I9

Zhiying Dong1,2, Hicham Moutaabbid3, Yabin Chen1,2

  • 1School of Aerospace Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China.

概括

压力显著改变了Rb3Bi2I9矿的性能. 它的带隙缩小,成为压力下的半导体的最佳状态,然后过渡到金属状态,电子作为主要电荷载体.

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