在Mn1.6Zn0.2Ni0.6Mg0.2Al0.4O4高的氧化膜中的相位演变通过热处理
Wei Ren1,2, Xianhai Liu2, Wenting Wu3
1School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi'an 710072, China.
Materials (Basel, Switzerland)
|December 17, 2024
概括
化Mn-Zn-Ni-Mg-Al薄膜产生了高氧化物薄膜. 最好的电导率是在750°C时发现的,即使存在杂质相,也表明它们没有.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态化学 固态化学
- 薄膜技术 薄膜技术
背景情况:
- 高氧化物 (HEO) 由于多元元素组成,具有独特的特性.
- 脊柱结构对于各种电子应用至关重要.
- 在HEO中控制相位纯度和电气性能是具有挑战性的.
研究的目的:
- 为了合成和表征Mn-Zn-Ni-Mg-Al多层薄膜,在各种温度下化.
- 为了研究螺旋结构高氧化物薄膜的相位形成和电性质.
- 为了确定理想的导电性行为最优的化条件.
主要方法:
- 多层薄膜沉积. 多层薄膜沉积.
- 在不同温度 (650°C,750°C,850°C,950°C) 的空气中火.
- 用于相位分析的X射线衍射 (XRD).
- 电导率测量. 电导率测量. 电导率测量. 电导率测量. 电导率测量.
主要成果:
- 成功形成了螺旋结构的Mn1.6Zn0.2Ni0.6Mg0.2Al0.4O4高氧化物薄膜.
- 在特定的回火温度 (650°C,750°C,950°C) 确定了杂质相 (MnO2,Al2O3).
- 仅在850°C观察到纯旋相,但在750°C炼的薄膜表现出最好的电导率.
结论:
- 杂质相的存在并不一定会降低电气性能.
- 这些HEO薄膜的导电性最佳回火温度可能与相纯度不同.
- 这项研究提供了关于定制多组分螺旋氧化物特性的见解.
