使GaN

Yu-Hsuan Hsu1,2, Shao-Hua Lin1, Dong-Sing Wuu3

  • 1Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan, ROC.

Discover nano
|December 17, 2024
PubMed
概括

使用As或Ar的离子植入,通过减少侧墙缺陷而改善蓝色微型LED的性能.与干蚀刻相比. 阿贡植入产生了最好的结果,提高了效率和外部量子效率.