通过近红外应用的双面被动化,提高了基于的矿光探测器的性能
Yu Hsuan Lai1, Chien Cheng Li1, Yu Chuan Huang1
1Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
|December 18, 2024
概括
双面被动化与大型基介层显著提高了基于Sn的矿光电探测器的性能. 这提高了近红外先进应用的膜质量和载波动态.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 锡 (Sn) 基矿具有有前途的光电子性能.
- 矿光探测器面临着薄膜质量和接口缺陷的挑战.
- 提高载体动力学对于高性能光探测器至关重要.
研究的目的:
- 开发高性能基于Sn的矿光探测器.
- 通过使用双消极化策略,提高FASnI3片的质量.
- 为了研究被动化对光探测器性能和电荷动态的影响.
主要方法:
- 使用PEAI和BDAI2介层制造具有双被动化的Sn基矿膜.
- 薄膜质量,缺陷密度和载体移动性的表征.
- 用各种波长测试光学探测器的性能测试,包括响应性,检测性和EQE测量.
- 使用短暂光电流 (TPC) 和短暂光电压 (TPV) 测量,分析设备噪声和电荷重组寿命.
主要成果:
- 实现了高响应度 (0.37 A/W) 和检测能力 (6.12 × 1013 斯在 720 nm).
- 证明了65.60%的优异的外部量子效率 (EQE) 和快速响应时间 (9微秒).
- 在850 nm处达到高探测能力 (3.27 × 1013 斯),低1 / f噪声 (1.21 × 10−15 AHz−0.5).
- 观察到电荷重组寿命的增加和电荷传输效率的提高.
结论:
- 使用PEAI和BDAI2进行双面被动化,有效地提高了基于Sn的矿膜质量和光探测器性能.
- 开发的光电探测器显示出近红外应用的巨大潜力.
- 这种被动化策略为推进矿光电子技术提供了一条可行的途径.


