准确构建高性能高能金属电池的坚固接口
Kevin Velasquez Carballo1, Meetesh Singh1, Xiangbo Meng1
1Department of Mechanical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA. xbmeng@uark.edu.
Chemical communications (Cambridge, England)
|December 23, 2024
概括
原子和分子层沉积 (ALD和MLD) 为高能金属电池 (LMB) 创造了强大的接口. 这些技术解决了阳极和丰富的阴极的稳定性问题,使电池的性能提高.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电化学 电化学 电化学
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 高能金属电池 (LMB) 是有前途的,因为阳极和富阴极 (NMC) 的高容量和低氧化还原潜力.
- 商业化受阻于接口不稳定性问题,包括树突,阳极上的固体电解质接相 (SEI) 和阴极电解质接相 (CEI),过渡金属溶解和阴极上的氧气释放.
研究的目的:
- 审查最近使用原子和分子层沉积 (ALD和MLD) 来在Li‖NMC LMB中创建稳定的接口的进展.
- 讨论ALD和MLD在克服高性能LMB的接口挑战方面的潜力.
主要方法:
- 利用原子和分子层沉积 (ALD和MLD) 来创建统一,合规和精确控制的表面涂层.
- 应用低温沉积工艺 (≤250°C) 进行接口工程.
主要成果:
- ALD和MLD可以为阳极和NMC阴极开发强大的接口.
- 这些技术为薄膜沉积提供了原子/分子层次的精确控制.
- 实现了统一和合规的涂层,增强了接口稳定性.
结论:
- ALD和MLD是制造LMB中先进表面涂层的强大工具.
- 这些方法有效地解决了Li‖NMC细胞中的关键接口稳定性问题.
- ALD和MLD提供的精确控制为高性能金属电池铺平了道路.
