概括
优化面板侧墙角和使用子面板显著改善了光的提取,并减少了深紫外线发光二极管 (DUV LED) 的效率下降. 这种工程提高了高压 (HV) DUV LED 的性能.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 深紫外发光二极管 (DUV LED) 在各种应用中至关重要.
- 效率下降和自我加热是DUV LED性能中的重大挑战.
- 梅萨和子梅萨结构影响光线提取和热管理.
研究的目的:
- 系统地调查 mesa/sub-mesa侧墙工程对单结 (SJ) 和高压 (HV) DUV LED 的影响.
- 为了优化侧墙角度和Al反射器配置,以增强光线提取.
- 分析子Mesa计数对自热和外部量子效率 (EQE) 的影响.
主要方法:
- 制造和特征的DUVLED与不同的桌面/子桌面设计.
- 系统地调查侧墙角 (∼46°) 和Al反射器集成.
- 在不同的输入功率条件下分析EQE下降和自我加热效应.
- 在SJ和HV DUVLED之间进行比较,具有不同数量的子面板.
主要成果:
- 一个≤46°倾斜的桌面/副桌面侧墙角和Al反射器最好地促进光的提取.
- 随着越来越多的子面板的HV DUV LED显示出自我加热和EQE垂落的显著改进.
- 两个和四个子面板的HV DUV LED的EQE下降率分别为27.6%和34.6% (6.4W),明显低于SJ DUV LED的51.6%.
- 性能提升归因于优越的散热和光提取,这是由于子面积的高周边与面积比率.
结论:
- 面板设计,特别是使用子面板和优化侧墙角度,对于提高DUV LED性能至关重要.
- 亚米萨工程有效地减轻了效率下降,并改善了HV DUV LED中的热管理.
- 这项研究为推进基于AlGaN的DUV LED技术提供了对面板设计的见解.
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