在p型SnSe晶体中优化热电性能,通过局部化的格子扭曲和带收

Suniya Siddique1, Ghulam Abbas2,3, Manzar Mushaf Yaqoob4

  • 1Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and optoelectronic engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China.

概括

这项研究通过引入缺陷和兴奋剂来提高锡化物 (SnSe) 晶体的热电性能. 这种方法优化了电子性能,减少了热传输,实现了高功率 (ZT).