在各种基质上对CVD生长双层WS2的界面粘附的定量测量
Yadu Chandran1, Juan Moya2, Zhijiang Ye2
1School of Mechanical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Mandi, Himachal Pradesh, 175075, India.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
|December 26, 2024
概括
测量了 tungsten disulfide (WS2) 片对不同基板的附着性. SiO2/Si表现出最强的粘合力,而蓝宝石表现出最弱的粘合力,这表明蓝宝石更容易转移.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 过渡金属二化物 (TMD) 的界面粘附对于它们的应用至关重要.
- 以前的研究主要集中在SiO2/Si基板上的MoS2和石墨烯上.
- 了解WS2在各种基板上的附着性对于2D材料加工至关重要.
研究的目的:
- 直接测量CVD培养的双层WS2的界面粘附强度.
- 为了比较蓝宝石,SiO2 / Si和化石英基板上的WS2粘附度.
- 调查基板选择对WS2片粘附和可转移性的影响.
主要方法:
- 纳米划痕技术使用伯科维奇尖端和2D传感器来测量正常和侧向力.
- 原子力显微镜 (AFM) 用于确定分层的临界负载.
- 分子动力学 (MD) 模拟来补充实验发现.
主要成果:
- 对于WS2分层的临界负荷在蓝宝石 (10 μN) 上最低,在SiO2/Si (29 μN) 上最高.
- 拉力测量表明,在蓝宝石上WS2的粘合力最小 (2.56nN),在SiO2/Si (2.83nN) 上WS2的粘合力最大.
- 实验结果与MD模拟结果一致.
结论:
- 基板的选择显著影响WS2的界面粘附.
- 蓝宝石是最适合的基板,可以轻松移除和转移WS2片,因为粘合力较弱.
- SiO2/Si表现出最强的粘附性,这对WS2传输构成了挑战.
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