基于透理论的KMC模拟用于缩放的Fe-FET基于多位内存计算,具有温度补偿策略
Qingxiao Zhu1,2, Lihua Xu1,2, Zhidao Zhou1,2
1State Key Lab of Fabrication Technologies for Integrated Circuits, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People's Republic of China.
Nanotechnology
|January 2, 2025
概括
本研究探讨了透传输如何影响铁电场效应晶体管 (FeFET) 多值存储. 降低尺寸比提高了FeFET偏振,减少了设备变异,并增强了可靠计算的状态分离.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 计算物理 计算物理
背景情况:
- 铁电场效应晶体管 (FeFET) 对多值存储具有前景.
- 透传输机制显著影响FeFET的性能.
- 设备对设备的变化和状态重叠是多位应用程序的关键挑战.
研究的目的:
- 调查透运输对FeFET多值存储的影响.
- 分析面积比率和温度对FeFET特性的影响.
- 为基于FeFET的内存计算中的可靠性问题提出解决方案.
主要方法:
- 动力蒙特卡洛 (KMC) 模拟被用于模拟透运输.
- 系统地研究了尺寸比率和温度依赖性.
- 使用高温表征来分析无形通道障碍的影响.
主要成果:
- 降低设备尺寸比提高铁电极化,减轻变化和改善状态分离.
- 形态通道障碍,加上多域动态,影响透传输.
- KMC模拟预测了从300K到400K的多值分布.
结论:
- 透运输在FeFET多价值存储可靠性中起着至关重要的作用.
- 设备设计 (面积比) 和材料特性 (通道障碍) 影响性能.
- 一个高效的写入验证方案可以减轻状态重叠,以改善多位计算.


