通过射频磁喷射制备的sc-doped GeTe薄膜

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 薄膜沉积的情况
• 半导体物理 半导体物理

背景情况:

• telluride (GeTe) 是一个有前途的材料用于相变内存应用.
• 将GeTe与其他元素合,可以调整其性能以提高性能.
• 了解兴奋剂对无形晶体相转变的影响至关重要.

研究的目的:

• 使用无线电频率磁铁子联合喷射,沉积和表征SC-doped GeTe薄膜.
• 研究 (Sc) 兴奋剂对GeTe薄膜结构,电气和光学性能的影响.
• 评估这些材料在相变应用中的潜力.

主要方法:

• 射频磁铁子对GeTe和Sc目标的联合喷射.
• 使用SEM-EDX,XRD,AFM,板电阻测量,可变角度光谱圆测量和TOF-MS进行表征.
• 作为沉积 (无形) 和化 (晶体) 膜的特性分析.

主要成果:

• 具有不同Sc含量 (4-14%) 的SC-dopedGeTe薄膜已成功沉积.
• 结晶温度在153-272°C之间,并随着Sc.含量增加而增加.
• 在回火时观察到显著的电对比 (板电阻比R_annealed/R_as-deposited从1.37x10^-4到9.1x10^-7) 和光学对比 (灯光光+灯光光从1.88-3.75).

结论:

• 扫兴奋剂有效地改变了GeTe薄膜的结晶行为和相位过渡特性.
• 观察到的大电和光学对比凸显了Sc-doped GeTe在先进的内存和光学设备中的潜力.
• 优化的Sc含量 (例如,8%) 可以最大限度地提高特定应用的理想性质变化.