一个改进的算法,以提取Moiré边缘阶段的晶圆-面具对齐在纳米印迹石版画中
Feifan Xu1,2,3, Yinye Ding2, Wenhao Chen3
1Anhui Province Key Laboratory of Measuring Theory and Precision Instrument, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China.
Micromachines
|January 8, 2025
概括
这项研究介绍了一种先进的Moiré边缘阶段提取算法,用于纳米印记 lithography 晶圆-面具对齐. 新方法提高了对齐精度到纳米级,超过现有技术.
科学领域:
- 纳米技术纳米技术
- 计量学 计量学 计量学
- 光学工程是指光学工程.
背景情况:
- 精确的晶圆-面具对齐对于纳米印记光刻技术至关重要.
- 像2D-FFT和2D-WFF这样的现有方法在速度和准确性方面存在局限性.
- 莫雷边缘分析是精确对齐测量的关键技术.
研究的目的:
- 为Moiré fringes.开发一个改进的相提取算法.
- 为了提高晶圆-面罩对齐准确度在纳米印记光刻.
- 克服现有的2D-FFT和2D-WFF方法的局限性.
主要方法:
- 结合2D-FFT和2D-WFF,实现高效的基本频率提取.
- 使用局部频谱值来消除噪音.
- 采用高斯窗口来抑制光谱泄漏,避免参数调整.
主要成果:
- 实现了纳米级的对齐精度.
- 与2D-FFT相比,表现出了15.8%的改善.
- 与2D-WFF相比,显示了6.6%的改善.
- 通过模拟和实验结果验证.
结论:
- 拟议的算法为晶圆-面罩对齐提供了卓越的准确性和效率.
- 它有效地解决了噪音和光谱泄漏问题.
- 该方法对于纳米印迹光刻应用是可行的和合理的.
更多相关视频
09:45Large-area Scanning Probe Nanolithography Facilitated by Automated Alignment and Its Application to Substrate Fabrication for Cell Culture Studies
Published on: June 12, 2018
9.6K
06:21Design and Development of a Three-Dimensionally Printed Microscope Mask Alignment Adapter for the Fabrication of Multilayer Microfluidic Devices
Published on: January 25, 2021
2.8K
