关于深紫外线发光二极管中的载体运输过程的研究,具有Al-Content-Varied AlGaN复合物最后的量子屏障
Wei Liu1, Yujia Liu1, Junhua Gao2
1School of Microelectronics, Northwestern Polytechnical University, Xi'an 710129, China.
Micromachines
|January 8, 2025
概括
在深紫外线LED中优化AlGaN复合物最后量子屏障 (CLQB) 显著提高了性能. 降低CLQB中的Al含量可以通过抑制电子泄漏和改善孔注射来提高发光效率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 深紫外线 (DUV) 发光二极管 (LED) 面临着电子泄漏和孔注射的挑战.
- 当前的研究经常独立优化电子阻断层 (EBLs) 和最后的量子屏障 (LQBs).
- 对于高性能DUV LED,需要对集成结构采取整体方法.
研究的目的:
- 提出和研究一个Al-content变化的AlGaN复合物最后一个量子屏障 (CLQB).
- 用单一的,集成的CLQB结构取代传统的EBL和LQB层.
- 为了提高载体封闭和注射效率在DUVLED.
主要方法:
- 使用新的AlGaN CLQB结构制造DUV LED.
- 在CLQB内Al含量的系统变化沿着生长方向.
- 光电子性能的表征,包括发光效率和载体动态.
主要成果:
- 一个含有降低Al的CLQB (70%至60%) 提高了发光效率.
- 这一改进归因于抑制了电子泄漏和增强了孔注入.
- 集成的CLQB结构可以避免EBL/LQB异构接口的载体损失.
结论:
- 拟议的AlGaN CLQB为传统的EBL/LQB结构提供了更优质的替代方案.
- 在CLQB中优化Al含量梯度对于高效的DUV LED运行至关重要.
- 这种综合方法解决了DUV AlGaN LED中的关键性能限制.
