边缘发射激光器阵列的热优化
Robert P Sarzała1, Dominika Dąbrówka1, Maciej Dems1
1Institute of Physics, Lodz University of Technology, ul. Wólczańska 217/221, 90-003 Łódź, Poland.
Materials (Basel, Switzerland)
|January 11, 2025
概括
这项研究优化了化激光阵列,通过调整发射器位置和接触尺寸来实现均的温度分布. 这种新的热管理方法避免了复杂的冷却系统,以提高性能.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 热力工程是热力工程中的一个.
背景情况:
- 化 (GaN) 边缘发射激光器对于绿光发射至关重要.
- 激光阵列中的温度分布不均会导致性能降低.
- 现有的激光阵列冷却解决方案可能是复杂和昂贵的.
研究的目的:
- 为一维 (1D) 激光阵列开发一种新的热优化方法.
- 为了解决GaN边缘发射激光器中温度分布不均的问题.
- 为了提高激光阵列的性能,而不需要复杂的冷却系统.
主要方法:
- 用热流数值分析来研究温度分布.
- 为1D激光阵列开发了一种专门的优化方法.
- 发射器位置和顶部黄金接触尺寸是调查的关键参数.
主要成果:
- 在1D GaN边缘发射激光阵列 (540 nm) 中实现了均的温度分布.
- 证明了发射器放置和接触尺寸优化是有效的.
- 展示了整体设备尺寸不需要改变热优化.
结论:
- 拟议的热优化方法确保了激光阵列的均温度.
- 这种方法消除了对复杂而昂贵的冷却系统的需求.
- 优化技术适用于各种材料系统,包括化物,化物和化物.


