关于对CD偏差和形角度的定量调整研究,用于基于Cu的堆叠电极的湿蚀刻
Dan Liu1,2, Liang Fang1, Zhonghao Huang2
1Chongqing Key Laboratory of Interface Physics in Energy Conversion, College of Physics, Chongqing University, Chongqing 400044, China.
Materials (Basel, Switzerland)
|January 11, 2025
概括
研究人员探索了多层薄膜晶体管 (TFT) 电极中的蚀刻挑战. 他们发现,调整MoNb厚度和堆叠结构,如MoNb/Cu和MoNb/Cu/MTD,可以定量控制关键尺寸 (CD) 偏差和配置角度 (PA),以提高TFT性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 薄膜晶体管 (TFT) 电极已经从单个Cu层发展到复杂的多层结构.
- 蚀刻堆叠电极存在挑战,原因是金属蚀刻速率和电腐蚀的变化,导致缺陷.
- 临界尺寸 (CD) 偏差和轮角 (PA) 是TFT电极湿蚀的关键性能指标.
研究的目的:
- 研究MoNb厚度和堆叠结构对MoNb/Cu和MoNb/Cu/MTD电极中的CD偏差和PA的影响.
- 为了建立蚀刻参数和性能指标之间的定量关系.
- 为精确控制TFT电极蚀刻稳定性和产量提供基础.
主要方法:
- 制备两层MoNb/Cu和三层MoNb/Cu/MTD电极,其厚度不同.
- 研究MTD,MoNb和Cu在H2O2基蚀刻剂中的电化学腐蚀潜力.
- 分析CD偏差和PA变化的MoNb厚度和堆叠结构.
- 为置信区间建立回归方程和蒙特卡洛模拟.
主要成果:
- 在H2O2蚀刻剂中,腐蚀潜力的顺序是EMTD < EMoNb < ECu.
- MoNb/Cu和Cu/MTD结构形成了用MoNb或MTD作为阳极的电池.
- 随着MoNb在MoNb/Cu双层中的MoNb厚度增加,CD偏差和PA增加.
- 在MoNb/Cu/MTD结构中,通过添加顶部MTD膜,CD偏差和PA降低.
结论:
- 该研究阐明了堆叠结构和材料厚度对蚀刻特性的影响.
- 确定了CD偏差和PA的定量关系和置信区间.
- 这些发现可以精确控制TFT电极蚀刻,提高性能和制造产量.
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