简短波长红外翻转芯片碰撞结合过程技术的审查
Junhao Du1,2, Xuewei Zhao1,2, Jiale Su1
1Research and Development Center of Optoelectronic Hybrid IC, Guangdong Greater Bay Area Institute of Integrated Circuit and System, Guangzhou 510535, China.
Sensors (Basel, Switzerland)
|January 11, 2025
概括
短波红外 (SWIR) 传感器正在迅速发展,在各种领域实现了新的应用. 轴薄膜SWIR传感器与翻转芯片碰撞粘合技术相集成,对未来的创新有很大的前景.
科学领域:
- 光电子和传感器技术
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 应用物理 应用物理
背景情况:
- 短波红外 (SWIR) 成像 (0.93μm) 对于民用和军事应用至关重要.
- 目前正在开发高分辨率,高灵敏度和具有成本效益的SWIR传感器.
- 斯威尔技术推动了生命科学,医学诊断,国防,监视,FSO,温度计,农业,食品检查和LiDAR等领域的创新.
研究的目的:
- 审查单体和混合SWIR图像传感器的进展.
- 要突出翻转芯片碰撞粘合技术在混合SWIR传感器集成中的作用.
- 总结表轴薄膜SWIR传感器的进展,包括InGaAs和Ge (Sn).
主要方法:
- 介绍单体和混合SWIR图像传感器架构.
- 作为混合传感器关键集成技术的翻转芯片撞击粘合的分析.
- 全面回顾近期发展的表轴InGaAs和Ge (Sn) 薄膜SWIR传感器和FPAs.
主要成果:
- 翻转芯片碰撞粘合是混合SWIR传感器的主要集成方法,因为性能,适应性,稳定性和可靠性.
- 在表轴薄膜SWIR传感器方面取得了重大进展.
- 这些传感器的不断演变正在扩大它们的应用范围.
结论:
- 长轴薄膜SWIR传感器,特别是InGaAs和Ge (Sn),正在迅速发展.
- 翻转芯片碰撞粘合技术对于这些先进的SWIR传感器的集成和性能至关重要.
- 预计SWIR传感器的不断发展将在学术研究和工业领域释放新的应用.
