MoO3SiC

Juan Luis Garcia-Pomar1, Rajveer Fandan1, Fernando Calle1

  • 1Departamento de Ingeniería Electrónica, E.T.S.I. de Telecomunicación, Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM), Universidad Politécnica de Madrid, Madrid, 28040 Spain.

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概括

我们在MoO3/SiC系统中演示了表面声子极子 (SPhPs) 的动态控制. 调整碳化 (SiC) 基板的调整