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Updated: May 31, 2025

06:43
Writing and Low-Temperature Characterization of Oxide Nanostructures
Published on: July 18, 2014
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基于金属氧化物-CNT结构的超低功率冷存储器
Wufan Chen1, Xueping Li2, Xuezhou Ma1
1Key Lab for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Center for Carbon-based Electronics, School of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China.
Nano letters
|January 24, 2025
概括
研究人员使用碳纳米管场效应晶体管开发了一种新的"冷"保险丝 (C-fuse) 记忆. 这种安全的一次性可编程 (OTP) 存储器为先进的电子电路提供了超低功耗和高性能.
科学领域:
- 半导体设备物理学 半导体设备物理
- 纳米材料科学科学 纳米材料科学
- 安全的记忆技术技术安全的记忆技术.
背景情况:
- 一次性可编程 (OTP) 存储器对于芯片安全至关重要.
- 传统的介电分解OTP内存受到高编程电流和功耗的影响.
研究的目的:
- 引入基于碳纳米管 (CNT) 场效应晶体管的新OTP内存机制.
- 开发一种安全,低功耗的替代传统OTP内存.
主要方法:
- 在CNT场效应晶体管中研究了道道诱导的"冷"分解.
- 使用这种现象构建了一个"冷"保险丝 (C-保险丝) 记忆装置.
- 描述了C-保险丝内存的编程电流,电阻比率,保留时间和均性.
主要成果:
- 在CNT中演示了道道诱导的"冷"分解,与介电分解不同.
- 实现了超低编程电流 (10^-12 A) 和高电阻比率 (>10^11).
- 显示出优异的长期数据保留 (>10年) 和良好的设备统一性.
结论:
- 与传统的OTP相比,C-fuse内存提供了卓越的性能和显著降低功耗.
- 这代表了基于低维纳米材料的第一个OTP内存.
- 对于下一代安全存储电路来说,C-fuse内存显示了巨大的潜力.
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