通过焦尔加热用于局部化MoS2生长的金属模式的受控氧化2
Norah Aldosari1,2,3, William Poston1,2, Gregory Jensen1,2
1Department of Physics and Astronomy Athens, Ohio University, Athens, OH 45701, USA.
研究人员开发了一种新方法,使用局部的朱尔加热和选择性氧化来生长高质量的二硫化 (MoS). 这种技术精确地控制了用于先进电子产品的二维过渡金属二二甲基化物的生长.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 像二硫化物 (MoS2) 这样的二维过渡金属二甲基化物 (2D TMD) 对于下一代电气和光电子设备至关重要.
- 高质量的2DTMD的受控合成仍然是可扩展制造的挑战.
研究的目的:
- 引入一种用于局部控制MoS2的新方法.
- 通过朱尔加热来研究选择性氧化的使用,作为MoS2核化的前体.
- 展示一种可扩展的方法来生产高质量的二维材料.
主要方法:
- 在环境条件下使用局部的朱尔加热选择性氧化散装图案.
- 形成的氧化层 (MoO2和MoO3) 的硫化,以生长MoS2.
- 使用拉曼光谱和光发光的MoS2薄膜质量的表征.
主要成果:
- 局部加热诱导了在图案上选择性形成氧化物 (MoO2/MoO3).
- 这些氧化物作为MoS2增长的有效核化场所.
- 拉曼光谱和光发光证实了合成的MoS2膜的有希望的质量.
结论:
- 焦耳加热可以精确控制局部的2DTMD生长.
- 这种方法为生产高质量的MoS提供了一个可扩展的途径2.
- 开发的技术具有集成到先进电子和光电子技术的潜力.
更多相关视频
08:50Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
Published on: November 28, 2017
06:00Solvothermal Synthesis of MIL-96 and UiO-66-NH2 on Atomic Layer Deposited Metal Oxide Coatings on Fiber Mats
Published on: June 13, 2018
相关概念视频
Oxidation of Alkenes: Syn Dihydroxylation with Osmium Tetraoxide
Oxidation of Alkenes: Syn Dihydroxylation with Potassium Permanganate
Radical Oxidation of Allylic and Benzylic Alcohols
Oxidation of Alcohols
The process of oxidation in a chemical reaction is observed in any of the three forms:
