在碳化物基质的Si面和C面之间对激光除的表面特征进行比较分析

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体加工 半导体加工
• 激光技术 激光技术 激光技术

背景情况:

• 碳化 (SiC) 是一个有前途的半导体,具有出色的性能.
• 它的硬度和脆性带来了重大的加工挑战和成本.

研究的目的:

• 为了研究紫外线激光切除用于直接去除SiC材料.
• 为了确定扫描速度对SiC表面特征的影响.

主要方法:

• 使用紫外线激光消光直接去除材料.
• 分析表面成分,硬度和剥离深度.
• 在SiC的Si和C面上不同扫描速度.

主要成果:

• 确定了最佳扫描速度:200 mm/s (Si面) 和100 mm/s (C面).
• 切除深度与激光重复线性相关;在C面上100毫米/秒提高了25%的效率.
• 表面硬度显著下降后剥离;格子结构显示面部依赖的变化.

结论:

• 紫外线激光切除是一种可行的SiC加工方法.
• 对于Si和C面,需要不同的加工参数.
• 结果为工业SiC表面稀释提供了宝贵的见解,减少了时间和成本.