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Updated: May 30, 2025
08:45
Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides
Published on: July 1, 2013
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对极端紫外线光电阻抗器官氧化物系统的计算研究
Jingbin Li1,2, Zhefeng Wang1, Han Wang1,2
1School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China.
The journal of physical chemistry. A
|January 27, 2025
概括
研究人员探索了基于锡的Sn12-oxo光电阻剂,用于先进的半导体制造. 量子化学计算确定了关键的分子参数,如结合能和电离潜力,以预测和设计用于极端紫外线光刻的高性能光电阻.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 量子化学 是一个量子化学.
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 极端紫外线 (EUV) 光刻需要先进的光电阻,以适应更小的特征尺寸.
- 传统的光电阻在满足严格的半导体制造要求方面存在局限性.
- 基于锡的Sn12-oxo光电阻剂由于优越的EUV光吸收,显示出有前途.
研究的目的:
- 研究Sn12-oxo光电阻的光敏度和可计算参数之间的关系.
- 探索Sn12-oxo集群的修改,以适应量身定制的 lithographic 应用.
- 确定用于预测光电阻性能的关键量子化学参数.
主要方法:
- 对Sn12-oxo光电阻的实验合成.
- 量子化学计算以确定分子参数.
- 对结合能量的分析,电离潜力,静电潜力和HOMO-LUMO间隙.
- 检查对Sn12-oxo集群的电子提取和电子捐赠连接体效应.
主要成果:
- 确定了预测光敏感性的关键参数:Sn-连接体结合能,电离潜力,静电潜力和HOMO-LUMO间隙.
- 有机配体的修改显著影响了电离潜力和Sn-配体结合能.
- 电子吸收和电子捐赠群体对集群属性表现出不同的影响.
结论:
- 提出了基于Sn12-oxo集群设计高性能EUV光电阻的策略.
- 了解连接体效应对于定制光电阻性质至关重要.
- 这项研究为发现用于先进光刻的新型光电阻材料铺平了道路.
