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Updated: May 30, 2025

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
1School of Physics, Xidian University, No. 2 Taibai South Road, Xi'an 710071, China.
合成真正的六角化 (h-BN) 纳米点面临的挑战是由于当前方法的错误表征. 严格的条件和对属性的重新评估对于真正的BN纳米点生产至关重要.
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结论: