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Updated: May 30, 2025

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

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Published on: November 24, 2016

高功率化高电子流动性晶体管的先进测量方法

Lu-Lu Wang^1,2, Wen-Rao Fang², Wen-Hua Huang²

¹College of Integrated Circuits, Zhejiang University, Hangzhou 310058, China.

The Review of scientific instruments

|January 28, 2025

概括

先进的测试方法通过提高稳定性和安全性来提高高功率晶体管的测量. 这项研究引入了用于可靠的半导体设备表征的新技术,这对于现代电路设计至关重要.

科学领域:

电气工程电气工程
材料科学材料科学材料科学

背景情况:

半导体设备测试是电路设计的基础.
测试中的设备 (DUT) 的功率水平不断提高,需要先进的测试解决方案.
高功率晶体管在测试过程中存在独特的挑战,包括自我振荡和安全风险.

研究的目的:

为高功率半导体设备开发先进的测量方法.
提高测试系统的稳定性,安全性和测量能力.
为了应对与高输出功率,自我振荡和晶体管测量中的安全风险相关的挑战.

主要方法:

引入宽带限制器和偏差波器网络,以提高电路稳定性和安全性.
使用频谱分析仪在测试前测量输出信号,防止自我振荡损伤.
开发一个高效的电流和S参数测试系统,用于脉冲条件的同轴固定装置和级联桥梁.

主要成果:

成功测试了一种具有高功率密度的化高电子移动性晶体管 (GaN HEMT).
获得了测试设备的完整I-V曲线和S参数曲线.
证明了提出的先进测量方法的有效性和适用性.

结论:

提出的先进测量方法显著改善了高功率晶体管的测试.
这些创新技术提高了测量安全性,稳定性和能力.
这些方法是有效的,适用于对GaN HEMTs等设备进行表征.

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