Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
Metal-Semiconductor Junctions
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Biasing of P-N Junction
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Jorge García-Inglés1, C Roldán-Piñero1,2, Diego Alejandro Moreno Ramos1
1Departamento de Física Teórica de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de Madrid, E-28049 Madrid, Spain.
在分子连接处的电子运输显示了长度依赖的振荡. 散射相互作用改变了这一趋势,通过dithiolated helicenes 进行传播,形成了牙模式.
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