概括
我们开发了一种强大的辅助方法,用于设计耐制造的数字纳米光子设备. 这种方法即使在像素大小变化的情况下也能确保高性能,这对于超密集的光子集成电路至关重要.
科学领域:
- 纳米光子学 纳米光子学
- 集成光学 集成光学 集成光学
- 计算光子学 计算光子学
背景情况:
- 数字纳米光子设备为超密度光子集成电路提供了紧的足迹.
- 造成像素大小变化的制造错误会降低设备的性能.
研究的目的:
- 为制造耐受性数字纳米光子设备提出一个强大的反向设计方法.
- 为了确保优化的纳米光子设计保持高性能,尽管像素直径的变化.
主要方法:
- 引入了一个强大的辅助方法,考虑了具有不同像素大小的多个模式.
- 设计并实验证明了一个三模 (去) 复合器和一个三模广播光子集成电路.
主要成果:
- 强大的辅助方法设计的设备表现出高性能,低插入损失和跨越1530-1570纳米的交叉声.
- 设备在±10纳米直径变化下保持性能,性能优于传统方法.
- 与传统的辅助方法相比,TE1和TE2模式的平均插入损失显著减少.
结论:
- 强大的辅助方法有效地设计了耐制造的数字纳米光子设备.
- 这种方法显著提高了性能稳定性,防止制造错误.
- 该方法对推进超密度光子集成电路具有很大的前景.


