带有不同侧墙角度的面板对基于GaN的蓝色和绿色微型LED的空间分辨率光学特性和光提取效率的影响
Optics express
|January 29, 2025
概括
在印化 (InGaN) 微型发光二极管 (微型LED) 中优化侧墙角对于提高外部量子效率 (EQE) 至关重要. 一个48度的侧墙倾斜角度平衡了光提取效率 (LEE) 和内部量子效率 (IQE) 达到峰值性能.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 化 (InGaN) 微型发光二极管 (微型LED) 是现代显示器和照明中的关键组件.
- 侧墙工程对于优化微型LED性能至关重要,影响光产生和提取.
- 了解侧墙角对效率的影响对于设备制造至关重要.
研究的目的:
- 研究不同侧墙角度对基于InGaN的蓝色和绿色微型LED的外部量子效率 (EQE) 的影响.
- 分析内部量子效率 (IQE) 和光提取效率 (LEE) 之间的权衡,作为侧墙角的函数.
- 为了确定最佳的侧墙倾斜角度,以最大限度地提高这些设备的EQE.
主要方法:
- 制造28 × 52 μm2的InGaN微型LED,侧墙的角度不同.
- 利用微观超光谱成像来分析色彩分布.
- 在不同的侧墙配置中测量和比较EQE,IQE和LEE.
主要成果:
- 更的侧墙减少非辐射重组和泄漏电流,提高IQE.
- 增加的侧墙角将光线集中到内部,降低LEE和色彩稳定性.
- 蓝色和绿色微型LED的最佳侧墙倾斜角度为48°,达到最高的EQE.
- 绿色的微型LED显示出较低的IQE改善比蓝色的由于更高的含量和位移密度.
结论:
- 侧墙角是优化InGaN微型LED性能的一个关键参数,平衡IQE和LEE.
- 48度的最佳角度证明了在蓝色和绿色微型LED中增强EQE的可行策略.
- 设备性能,特别是绿色InGaN微LED,受材料组成和缺陷密度的影响.
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