后期去除沉积的Au金属以提高基于AlGaN的深紫外线发光二极管的光提取效率

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体设备 半导体设备

背景情况:

• /黄金 (Ni/Au) 对于基于AlGaN的深紫外线发光二极管 (DUV LED) 中的p型欧姆接触至关重要.
• 紫外线光谱中的Ni/Au电极的高吸收性限制了光提取效率 (LEE).

研究的目的:

• 为了降低DUVLED中的Ni/Au电极的紫外线吸收性.
• 通过电极修改来提高DUV LED的光提取效率和整体性能.

主要方法:

• 在与p-AlGaN.形成欧姆接触后,湿蚀刻Ni/Au电极.
• 在蚀刻之前和之后,光学传输率,光学功率,墙塞效率 (WPE) 和前向电压的表征.

主要成果:

• 在5分钟的湿蚀后,Ni/Au电极的光传导率从35.2%增加到42.68%.
• 与参考设备相比,在100mA的注入电流下,光学功率和WPE分别增加了10.24%和9.89%.
• 观察到前向电压 (0.30 V) 略有增加,但通过1000小时的寿命测试证实了设备的稳定性.

结论:

• 湿蚀Ni/Au电极是通过降低光学吸收性来改善DUVLED中的LEE的有效方法.
• 拟议的技术增强了设备性能指标,如光学功率和WPE.
• 该工艺与大规模生产兼容,为改进DUV LED技术提供了实用解决方案.