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Updated: Jun 29, 2026
07:03
Low-energy Cathodoluminescence for (Oxy)Nitride Phosphors
Published on: November 15, 2016
多色辐射在上集成的印杂无形化中,用于自偏和高速光检测
Qiuguo Li1, Shijie Xiong2, Kaijian Huang1
1Guangdong Provincial Key Laboratory of Electronic Functional Materials and Devices, Huizhou University, Huizhou, Guangdong 516001, China.
ACS applied materials & interfaces
|February 3, 2025
概括
无形化 (a-BN) 的兴奋剂调节光发从蓝色到红色,使红外探测成为可能. 这一突破将a-BN与集成为先进的光电子设备.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 化 (BN) 是一种新兴的宽带间隙材料,有可能成为紫外线光源和量子发射器.
- 对于光子设备的BN缺陷结构和可扩展的BN发射器存在有限的研究.
- 控制BN兴奋剂对于调整来自缺陷的光辐射至关重要.
研究的目的:
- 为了研究 (In) 兴奋剂对无形化 (a-BN) 光度的影响.
- 探索In-doped a-BN在光电子设备中的潜力,特别是红外探测.
- 为了证明In-doped a-BN与平台的异质集成.
主要方法:
- 用 (In) 进行无形化 (a-BN) 的兴奋剂.
- 在In-doped a-BN.的特征发光光谱.
- 合成化a-BN,并将其与集成.
- 制造和测试基于In-doped a-BN/Si异质连接的宽带光学探测器.
主要成果:
- 兴奋剂调整了a-BN发光度从蓝色到红色,在更高的In度下,主导的765nm发射.
- 可见光发射被归因于涉及InN和ONVB中心的缺陷过渡.
- ONVB缺陷在实验中被确定为一个零声波线 (ZPL) 约为1.63 eV.
- 在平台上的In-doped a-BN的异质集成产生了700-1000nm宽带光探测器.
- 光探测器在室温下自偏操作,具有高光响应性 (在980 nm时约1.5 A/W),快速响应 (约90 μs) 和高检测性 (1.02 × 10 9 cm·Hz / W).
结论:
- 兴奋剂提供了一种方法来控制无形化中的发光.
- 已识别的缺陷中心是理解和调整a-BN.BN.光学属性的关键.
- 化a-BN/Si异质连接对开发高效的红外探测器具有前景.
- 这项工作通过使用合的a-BN材料来推进红外光电学.
