在MoS2晶体管中的硫空缺的后端兼容的被动化,使用电子提取二醇
Haksoon Jung1,2, Mingyu Kim2, Yongwoo Lee1
1Department of Electrical Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), 50 UNIST-Gil, Eonyang-Eup, Ulju-Gun, Ulsan 44919, Republic of Korea.
研究人员使用乙醇在创纪录的低温下修复了二硫化 (MoS) 场效应晶体管 (FET) 中的硫空缺. 这种方法恢复了理想的原子比,大大提高了FET的性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 原子薄的二硫化物 (MoS) 是一个有前途的n型通道材料,用于场效应晶体管 (FET).
- 在MoS2膜中的硫空缺 (SV) 会产生缺陷,限制设备的性能.
- 现有的SV修复方法往往需要高温,这限制了它们的应用.
研究的目的:
- 开发一种低温方法,用于修复MoS2膜中的硫空缺.
- 调查使用吸收电子的二醇 (BT) 来修复空位.
- 改进MoS2FET的电子性能和性能.
主要方法:
- 使用取电子的乙醇 (BT) 来选择性地与MoS2中的硫空隙结合.
- 采用低温回火工艺 (200°C) 进行完整的 SV 修复.
- 研究了BT化对S-C键强度对头组分离的影响.
主要成果:
- 在200°C的创纪录低工艺温度下实现了完整的SV修复.
- 从1.68到1.98.8恢复了MoS2的原子比.
- 获得了MoS2FETs的62.5mV·dec-1的理想下值摆动.
结论:
- 引入了一种新的低温方法,用于修复MoS2中的硫空缺,使用二醇.
- 证明了制造高性能MoS2FET与后端线路 (BEOL) 工艺兼容的潜力.
- 拟议的方法是可重复的,并遵守热预算限制.
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