聚多巴胺涂层的氧化核心外纳米颗粒用于高效且无损的化学-机械抛光
Xiaohai He1, Bo Gao1, Qingyuan Wu2
1The College of Energy Materials and Chemistry, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China. shen@imu.edu.cn.
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003)
|February 4, 2025
概括
新的聚多巴胺涂层氧化物纳米粒子改善了集成电路的化学机械抛光 (CMP). 这些先进的磨料实现了高抛光率和优越的表面质量,用于二氧化介电材料.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 化学机械抛光 (CMP) 对于集成电路制造至关重要,特别是对于浅沟隔离 (STI) 结构.
- 高质量的表面对于半导体制造中的CMP工艺至关重要.
研究的目的:
- 开发用于片上二氧化 (SiO2) 的CMP的新型,高效和无害的磨料.
- 为了研究聚多巴胺 (PDA) 涂层的氧化核心外纳米颗粒作为先进的CMP磨料的性能.
主要方法:
- 制造SiO2@CeO2@PDA复合纳米颗粒. 这是一个非常简单的过程.
- 使用扫描电子显微镜 (SEM),传输电子显微镜 (TEM),能量分散式X射线光谱 (EDS),X射线衍射 (XRD) 和X射线光电子光谱 (XPS) 的表征.
- 对SiO2表面的抛光性能的评估.
主要成果:
- SiO2核心增加了Ce3+含量,而PDA层改善了与SiO2介电物的相互作用.
- 用SiO2@CeO2@PDA抛光的晶圆实现了高抛光率.
- 获得了优良的表面质量,表面粗度 (Ra) 为0.109.
结论:
- 开发的SiO2@CeO2@PDA纳米颗粒是CMP的高效和无损的磨料.
- 表面协调策略显示出制造用于半导体制造的先进磨料的潜力.
