GaN NW

Dyhia Tamsaout1, Edmond Cambril1, Laurent Travers1

  • 1Centre de Nanoscience et Nanotechnologie (C2N), Université Paris-Saclay, CNRS, 91120 Palaiseau, France.

Nanotechnology
|February 7, 2025
PubMed
概括

一个两步的等离子体辅助的分子束表过程显著减少了化 (GaN) 纳米线在石墨烯上生长的潜伏时间. 这种优化的方法还改善了GaN纳米线的高度均性.