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Updated: May 28, 2025

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
Victor Kärcher1, Tobias Reiker1, Pedro F G M da Costa2
1Center for Soft Nanoscience, University of Münster, 48149 Münster, Germany.
研究人员开发了一种新的连贯控制技术,使用 Telluride (CdTe) 量子点中内部生成的场. 这种方法操纵量子干扰,用于超快纳米光子设备的潜在应用.
科学领域:
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研究的目的:
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主要成果:
结论: