在二硫化单层中,二硫化缺陷 (S22-) 的理论预测

Maxim R Ryzhikov1, Svetlana G Kozlova2

  • 1Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS, Acad. Lavrentiev Ave. 3, Novosibirsk, 630090, Russia.

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概括

研究人员使用密度函数理论研究了二硫化 (MoS) 单层中的新缺陷. 这种缺陷具有硫-硫键,可以调整材料特性.