带平和应变场有助于n型Bi2Se3的卓越热电性能,适用于室温到中温应用

Vijay Vaiyapuri1,2,3, Kamalakannan Shanmugasundaram2,3, Archana Jayaram2,3

  • 1Nanotechnology Research Centre, Faculty of Engineering and Technology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur, Tamilnadu, 603 203, India.

概括

与和一起配合素化物 (Bi2Se3) 通过优化带结构和声子散射来增强热电性能. 这一策略显著提高了优点 (zT) 的数字,达到0.7的最大值和5.9%的理论效率.