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Updated: May 15, 2026
08:45
Micro-masonry for 3D Additive Micromanufacturing
Published on: August 1, 2014
10.3K
对于3D集成的双化-CMP过程中透过 vias的突起的研究
Tianjian Liu1, Shizhao Wang2,3, Fang Dong2,3
1School of Mechanical Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China.
Microsystems & nanoengineering
|February 12, 2025
概括
双和化学机械平面化 (CMP) 工艺被用来研究通过通过 (TSV) 制造. 优化这些过程有效地减少了3D集成电路中的铜突出.
科学领域:
- 材料科学与工程 材料科学与工程
- 电气工程 电气工程
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 透过通过 (TSV) 技术对于先进的3D集成电路至关重要,它可以为密集和空间高效的设计提供垂直互连.
- 在TSV制造过程中控制微结构演变,特别是铜 (Cu) 突出,对于设备的可靠性和性能至关重要.
研究的目的:
- 研究双和化学机械平面化 (CMP) 过程对TSV-Cu微观结构和突出形成的影响.
- 建立一个相场模型,用于在TSV中定量分析谷物形态,分布和热力学行为.
主要方法:
- 使用双和CMP步骤制造TSV.
- 对TSV-Cu进行微结构分析,以观察颗粒大小,形态和突起的变化.
- 开发和应用一个相场模型来模拟粒径效应和热力学行为.
主要成果:
- 双CMP有效地减少了Cu的突起,特别是在高温下.
- 增加的火温度和持续时间通常会导致更高的Cu突出,在250°C时观察到异常行为.
- 阶段场建模揭示了与谷物分布和方向相关的不均的应变分布和塑性变形,其中谷物数量是突起的关键因素.
结论:
- 在TSV中颗粒的数量和大小显著影响Cu突出,较大的颗粒导致更明显的突出和异型.
- 在TSV顶部的粒度方向对于热力学行为至关重要,并可能导致突出不规则.
- 优化双CMP流程为设计高性能TSV准备方法提供了一条途径.
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