在上开发热记忆细胞,使用浮式零算法.
Yury N Kulchin1, Arkady A Skvortsov2,3, Vladimir K Nikolaev4
1Institute of Automation and Control Processes, Far Eastern Branch of the Russian Academy of Sciences, Vladivostok, Russia.
Scientific reports
|February 12, 2025
概括
我们开发了一种浮式零算法,以在上稳定热记忆元件,减少读写错误. 这种算法确保了即使在温度变化的情况下也可靠运行,并定义了薄膜设备的安全运行极限.
科学领域:
- 固态物理 固态物理
- 材料科学 是一种材料科学.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 热记忆元件为高密度数据存储提供了潜力.
- 上的薄膜设备是热记忆的有希望的候选人.
- 操作稳定性和减少错误是热内存开发中的关键挑战.
研究的目的:
- 开发和评估一种用于稳定热记忆元件的新算法.
- 为了研究薄膜热记忆装置的降解机制.
- 建立安全运行参数的标准.
主要方法:
- 在不同的环境温度下实施和测试浮动零算法.
- 在高电热负荷下对设备降解的实验分析.
- 确定设备降解值和安全操作标准.
主要成果:
- 浮动零算法有效地稳定了热记忆细胞的操作.
- 降解始于电流脉冲超过100μs的持续时间和8.5 × 10^10 A/m^2的振幅密度.
- 通过实验确定了一个安全运行标准 (γ = 6.0 VA√s).
结论:
- 浮动零算法提高了热内存设备的可靠性.
- 了解降解值对于设备的寿命至关重要.
- 建立的安全操作标准为使用这些设备提供了实际指导方针.


