轻度温度热处理金皮单层MoS2的热处理方法

Emanuele Sangiorgi1, Antonino Madonia1, Gianmarco Laurella1

  • 1Department of Physics and Chemistry Emilio Segrè, University of Palermo, Via Archirafi 36, I-90123 Palermo, Italy.

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概括

控制氧气处理可增强电子产品的单层二硫化物 (MoS2). 在225°C的温和加热通过消除缺陷来优化光学性能,为可扩展的MoS2应用铺平了道路.