插入深度和模块近距离对耳植入物语音识别结果的影响,使用预式电极阵列
Michael W Canfarotta1, Margaret T Dillon, Nicholas J Thompson
1Department of Otolaryngology/Head and Neck Surgery, University of North Carolina at Chapel Hill, Chapel Hill, North Carolina.
概括
更深入地插入耳植入物 (CI) 改善了语音识别,但目前的预曲阵列限制了同时的模态接近. 为了优化CI设计,需要进一步的研究.
科学领域:
- 耳鼻喉科 耳鼻喉科 耳鼻喉科
- 神经外科 神经外科
- 生物医学工程 生物医学工程
背景情况:
- 耳植入物 (CI) 电极阵列设计影响听力结果.
- 前置电极阵列旨在改善耳覆盖范围和接近神经结构.
研究的目的:
- 通过使用预曲阵列,研究CI受体中角插入深度 (AID),模态近距离和语音识别之间的关联.
- 为了确定这些因素是否独立地预测语音识别性能.
主要方法:
- 35名成年CI接受者 (40只耳朵) 的回顾性审查,使用预曲电极阵列.
- 手术后的CT扫描评估了AID和modiolar近距离.
- 辅音-核心-辅音 (CNC) 词识别在6个月后被测量.
主要成果:
- 更深的顶端AID和更接近的基底模样靠近独立地与更好的CNC分数相关.
- 较深的基底插入与较大的顶端AID相关,但基底模块接近性降低.
- 这些发现突出了当前前曲线阵列设计中的权衡.
结论:
- 角耳覆盖范围和模块附近都提供了语音识别的好处,具有预曲阵列.
- 目前的设计存在冲突:更深的插入覆盖可能会损害模极距离.
- 未来的研究应该专注于修改CI设计,以优化这两个因素,以改善患者的治疗结果.
