Bis ()

Dandan Wang1, Wenrui Xu2, Yidan Hu2

  • 1Oxford Suzhou Centre for Advanced Research, Building A, 388 Ruo Shui Road, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu 215123, P.R. China.

PubMed
概括

基于碳的薄膜对分子电子学有前途,克服了基于硫醇的吸附物的稳定性问题. 使用铁的后功能化创造了具有高整形性的稳定二极管,证明了耐用分子电子设备的潜力.