兴奋剂Janus MoSSe单层与Al/Ga和P/As原子及其集群:带结构和磁性工程的有效方法
Duy Khanh Nguyen1,2, Chu Viet Ha3, J Guerrero-Sanchez4
1Laboratory for Computational Physics, Institute for Computational Science and Artificial Intelligence, Van Lang University Ho Chi Minh City Vietnam khanh.nguyenduy@vlu.edu.vn.
RSC advances
|February 18, 2025
概括
新的兴奋剂方法工程师Janus MoSSe单层用于自旋电子. 用Al/Ga和P进行兴奋剂会产生磁性半导体,而三元集群会产生半金属性质,从而增强光电子应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 计算化学计算化学
背景情况:
- 斯MoSSe单层是一种直接间隙半导体.
- 工程其电子和磁性属性对于先进的应用至关重要.
研究的目的:
- 为了探索新的兴奋剂策略,有效的带结构和磁性工程的Janus MoSSe.
- 为了研究各种剂和集群对单层性质的影响.
主要方法:
- 使用了第一原则计算.
- 模拟了使用单个原子 (Al,Ga,P,As) 和二元/三元集群 (AlP3,AlAs3,GaP3,GaAs3,AlPAs,GaPAs,AlP3As3,GaP3As3) 的兴奋剂.
- 进行了Bader收费分析.
主要成果:
- 用Al/Ga在Mo子网格和P在S子网格中合诱导具有显著磁矩的磁性半导体行为.
- 由于兴奋剂导致了没有磁性的金属化.
- 用二进制集群替换大大减少了带间隙.
- 三级星团导致了磁性半导体和半金属性质.
- 巴德电荷分析揭示了电荷转移动态.
结论:
- 拟议的兴奋剂方法有效调整了Janus MoSSe的电子和磁性特性.
- 这些工程材料显示出用于自旋电子和光电子设备应用的潜力.
