深度大脑刺激电极偏差与大脑度有关 通过磁共振弹性扫描测量的接口

科学领域:

• 神经外科 神经外科
• 生物医学工程 生物医学工程
• 医疗成像医学成像

背景情况:

• 深度大脑刺激 (DBS) 的有效性取决于精确的电极放置.
• 电极偏差,通常是由于曲,需要在3-8%的患者进行修复手术.
• 内部囊 (IC) 的密集纤维被认为是DBS电极偏差的一个因素.

研究的目的:

• 调查计划DBS电极轨迹的角度与目标偏差之间的关系.
• 测试假设,相对于内部囊 (IC) 组织接口的角度导致偏差.
• 评估磁共振弹性图 (MRE) 在量化大脑组织硬度及其与电极偏差的关系中的实用性.

主要方法:

• 术前3T MRE用于测量10名帕金森病患者的大脑组织度.
• 定义了内部囊刚性接口 (ICSI) 和它的过渡速率.
• 术后CT测量目标偏差;相对于ICSI的接近角度计算并与偏差相关.

主要成果:

• 在接近角度和目标偏差之间发现了显著的正相关性 (r=0.57,P=.007).
• 更大的接近角度与更大的电极偏差有关.
• 在ICSI的硬度过渡率与偏差无关 (P=.874).

结论:

• 计划轨迹和ICSI之间的角度显著影响DBS电极偏差.
• 组织力学,特别是接近角度,在电极曲中起作用.
• MRE可以在体内量化大脑硬度,提供预测和减轻DBS电极偏差的潜力,从而改善患者的治疗结果.