测量低温制备的硫酸酸薄膜的有效电光系数
Bin Li1,2, Hongyan Yu1,2, Chen Yang1
1Hangzhou Institute for Advanced Study, University of Chinese Academy of Sciences, No. 1 Xiangshanzhi Lane, Hangzhou 310024, China.
Materials (Basel, Switzerland)
|February 26, 2025
概括
研究人员开发了用于光电调节器的低温氧化酸 (PZT) 薄膜. 这一突破使PZT能够与CMOS技术集成,为先进的光子设备铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光子学 是一个光子学.
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 硫酸 (PZT) 薄膜对于集成光子学中的电光学 (EO) 调制器至关重要.
- PZT薄膜的高加工温度限制了与补充金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的兼容性.
研究的目的:
- 在低回火温度下开发高质量的PZT薄膜.
- 使用这些低温PZT片,制造和描述一个马赫-泽恩德干扰仪 (MZI) 波导调节器.
主要方法:
- 在SiO2/Si基板上制造PZT薄膜,低火温度为450°C.
- 描述PZT薄膜的方向,均性和完整性.
- 一个MZI波导调节器的设计和制造.
- 测量半波电压和设备内EO系数.
主要成果:
- 在450°C实现了具有优选 (100) 方向的高质量,均且无裂纹的PZT薄膜.
- 制造的MZI调制器在1550nm时表现出4.8V的低半波电压.
- 显示了令人印象深刻的66 pm/V的设备内EO系数.
结论:
- 低温制造PZT薄膜是可行的,克服了CMOS兼容性问题.
- 开发的PZT薄膜显示了高性能光学设备的巨大潜力.
- 这项工作有助于将PZT薄膜集成到复杂的光子系统中.


