通过层转移技术制造的300毫米RF-SOI晶片的演示
Rongwang Dai1,2, Jingjun Ding1,2, Chenyu Shi1,2
1National Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, PR China. xwei@mail.sim.ac.cn.
Nanoscale
|February 28, 2025
概括
本研究介绍了300毫米射频在绝缘体 (RF-SOI) 晶片的先进制造技术,使其能够大批量制造. 这些创新提高了晶圆的质量和性能,满足了5G电信的需求.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体制造业 半导体制造业
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 现代电信要求射频在绝缘体 (RF-SOI) 技术提供更高的性能.
- 现有的RF-SOI制造方法在满足这些先进的应用要求方面面临挑战.
研究的目的:
- 介绍适用于大批量制造的300毫米RF-SOI晶片的关键制造技术.
- 解决当前RF-SOI技术对要求高的电信应用的性能限制.
主要方法:
- 利用大气压化学蒸汽沉积 (APCVD) 与现场和化学机械抛光 (CMP) 进行Poly-Si层沉积,实现应力松.
- 集成氧化稀释和非接触光滑,以消除层移动损伤,提高表面质量.
- 采用功率光谱密度 (PSD) 分析来研究纳米拓的演变.
主要成果:
- 在手柄晶圆中实现了更高的电阻率和更低的曲率.
- 获得的表面粗度低于3 Å,厚度均度低于1%.
- 通过共平面波导 (CPW) 在900 MHz显示的基板损失低于4dB cm-1和二次波扭曲 (HD2) -95dBm.
结论:
- 开发的300毫米RF-SOI晶圆制造工艺符合5G设备的严格要求.
- 批量生产证实了出色的重复性和可重复性,标志着国内RF-SOI技术的重大进步.
